<装置の概要>

 赤外線ゴールドイメージ炉TMによる赤外線ランプ加熱炉です。 放物反射面を有し平行赤外光により広い面積を均一に加熱することが可能です。


用途

  • ・Si、化合物半導体のRTA
  • ・ガラス・セラミック基板のアニール炉
  • ・金属の雰囲気焼鈍炉
  • ・複合材料の耐熱評価炉
  • ・高温引張・圧縮試験用加熱炉

<装置の仕様>

加熱形態 平行光管状加熱
最大加熱温度 1200℃
加熱ゾーン φ40mm X 80mm
電力 12kW
ランプ電圧 200V

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